A floating gate transistor has a reduced barrier energy at an interface between a gallium nitride (GaN) or gallium aluminum nitride (GaAlN) floating gate an adjacent gate insulator, allowing faster charge transfer across the gate insulator at lower voltages. Data is stored as charge on the floating gate. The data charge retention time on the floating gate is reduced. The data stored on the floating gate is dynamically refreshed. The floating gate transistor provides a dense and planar dynamic electrically alterable and programmable read only memory (DEAPROM) cell adapted for uses such as for a dynamic random access memory (DRAM) or a dynamically refreshed flash EEPROM memory. The floating gate transistor provides a high gain memory cell and low voltage operation.

Плавая транзистор строба имеет уменьшенную энергию барьера на поверхности стыка между нитридом галлия (GaN) или стробом нитрида галлия алюминиевым (GaAlN) плавая смежный изолятор строба, позволяющ более быстрый переход обязанности через изолятор строба на более низких напряжениях тока. Данные хранятся по мере того как обязанность на плавая стробе. Уменьшено время удерживания обязанности данных на плавая стробе. Данные, котор хранят на плавая стробе dynamically освежены. Плавая транзистор строба обеспечивает плотную и плоскостную динамическую электрически приспособленную клетку alterable и programmable прочитанной только памяти (DEAPROM) для польз such as для динамический памяти случайного доступа (DRAM) или dynamically освеженная внезапная память EEPROM. Плавая транзистор строба предусматривает высокий деятельность ячейкы памяти увеличения и низкое напряжения тока.