The invention removes a portion(s) of a material of interest, while leaving an adjacent or underlying electrode(s) intact. The material is exposed to a plasma containing at least two-halogen-containing gases. At least a portion of the material, for example a piezoelectric material, an oxygen-containing material, or a nitrogen-containing material, is etched by the plasma. By removing desired portions of this material, the device can have alternative or complex architecture. In addition, the propagation of shear waves is limited in the device.

L'invenzione rimuove un portion(s) di un materiale di interesse, mentre lascia un electrode(s) adiacente o di fondo intatto. Il materiale è esposto ad un plasma che contiene almeno i gas due-alogeno-contenenti. Almeno una parte del materiale, per esempio un materiale piezoelettrico, un materiale ossigeno-contenente, o un materiale contenente azoto, è incisa dal plasma. Rimuovendo le parti volute di questo materiale, il dispositivo può avere architettura alternativa o complessa. In più, la propagazione delle onde delle cesoie è limitata nel dispositivo.