Memory cells are arranged at crossover points of word lines WLi and bit lines. First reference cells are arranged at crossover points of at least one first reference word line and bit lines. In a normal operating mode, the reference cells serve for generating a reference potential on the bit lines prior to a readout of the memory cells. Second reference cells are arranged at crossover points of at least one second reference word line and the bit lines. In a test operating mode, the second reference cells serve for generating a reference potential on the bit lines prior to a readout of the reference cells.

Las células de memoria se arreglan en los puntos de la cruce de las líneas WLi de la palabra y mordieron líneas. Las primeras células de la referencia se arreglan en los puntos de la cruce por lo menos de una primera línea de la palabra de la referencia y mordieron líneas. En un modo de funcionamiento normal, las células de la referencia sirven para generar un potencial de la referencia en las líneas del pedacito antes de una lectura de las células de memoria. Las segundas células de la referencia se arreglan en los puntos de la cruce por lo menos de una segundo línea de la palabra de la referencia y de las líneas del pedacito. En un modo de funcionamiento de la prueba, las segundas células de la referencia sirven para generar un potencial de la referencia en las líneas del pedacito antes de una lectura de las células de la referencia.