A method and apparatus is directed to a thermal shut down for a low drop out (LDO) regulator including a MOS transistor. An error amplifier controls the gate of the MOS transistor by comparing the regulator output voltage to a reference voltage that is generated by a reference circuit. To enhance power supply rejection and improve regulation, the error amplifier and the reference circuits are powered by a potential at an internal power supply node. A power control circuit selectively couples the internal power supply node to one of the regulated output voltage and the unregulated supply voltage. A start-up circuit may be employed to ensure that regulation begins when power is applied. A temperature sensor circuit detects when the operating temperature exceeds a predetermined temperature and activates a supply transfer circuit to couple the unregulated supply to the internal power supply node. After the internal power supply node reaches the unregulated power supply potential, a shutdown circuit deactivates the MOS transistor. A diode is coupled between the regulator output and the internal power supply node to prevent current flowing from the internal power supply node to the load when the over-temperature condition exists. A transistor mirror may be configured to couple the unregulated supply voltage to the internal power supply node when activated. The thermal characteristics of a transistors threshold voltage may be employed as a temperature sensor. Another transistor may deactivate the MOS transistor by coupling the gate of the MOS transistor to the unregulated supply voltage.

Eine Methode und ein Apparat wird auf ein Thermal verwiesen, das für ein niedriges geschlossen wird, fallenlassen heraus Regler (LDO) einschließlich einen MOS Transistor. Ein Störung Verstärker steuert das Gatter des MOS Transistors, indem er die Reglerausgang Spannung mit einer Bezugsspannung vergleicht, die durch einen Bezugsstromkreis erzeugt wird. Um Spg.Versorgungsteilablehnung zu erhöhen und Regelung zu verbessern, werden der Störung Verstärker und die Bezugsstromkreise durch ein Potential an einem internen Spg.Versorgungsteilnullpunkt angetrieben. Ein Energie Steuerstromkreis verbindet selektiv den internen Spg.Versorgungsteilnullpunkt bis einen der regulierten Ausgang Spannung und der unstabilisierten Versorgungsmaterial-Spannung. Ein Start-upstromkreis kann eingesetzt werden, um sicherzugehen, daß Regelung anfängt, wenn Energie angewendet wird. Ein Temperaturfühlerstromkreis ermittelt, wann die Betriebstemperatur eine vorbestimmte Temperatur übersteigt und aktiviert einen Versorgungsmaterial-Übergangsstromkreis, um das unstabilisierte Versorgungsmaterial zum internen Spg.Versorgungsteilnullpunkt zu verbinden. Nachdem der interne Spg.Versorgungsteilnullpunkt das unstabilisierte Spg.Versorgungsteilpotential erreicht, entaktiviert ein Abschaltung Stromkreis den MOS Transistor. Eine Diode wird zwischen dem ausgegebenen Regler und dem internen Spg.Versorgungsteilnullpunkt, um das gegenwärtige Fließen am internen Spg.Versorgungsteilnullpunkt zu verhindern zur Last verbunden, wenn der Übertemperaturzustand besteht. Ein Transistorspiegel kann zusammengebaut werden, um die unstabilisierte Versorgungsmaterial-Spannung zum internen Spg.Versorgungsteilnullpunkt zu verbinden, wenn er aktiviert wird. Die thermischen Eigenschaften einer Transistorschwelle Spannung können als Temperaturfühler eingesetzt werden. Ein anderer Transistor kann den MOS Transistor entaktivieren, indem er das Gatter des MOS Transistors zur unstabilisierten Versorgungsmaterial-Spannung verbindet.