In those thin-film transistors (TFTs) employing as its active layer a silicon film crystallized using a metal element, the objective is to eliminate bad affection of such metal element to the TFT characteristics. To this end, in a TFT having as its active layer a crystalline silicon film that was crystallized using nickel (Ni), those regions corresponding to the source/drain thereof are doped with phosphorus; thereafter, thermal processing is performed. During this process, nickel residing in a channel formation region is "gettered" into previously phosphorus-doped regions. With such an arrangement, it becomes possible to reduce the Ni concentration in certain regions in which lightly-doped impurity regions will be formed later, which in turn enables suppression of affection to TFT characteristics.

In quei transistori di sottili pellicole (TFTs) che impiegano poichè il relativo strato attivo una pellicola del silicone si è cristallizzato usando un elemento del metallo, l'obiettivo è eliminare l'affetto difettoso di tale elemento del metallo alle caratteristiche di TFT. A questo scopo, in un TFT che ha come relativo strato attivo una pellicola cristallina del silicone che è stata cristallizzata usando il nichel (Ni), quelle regioni che corrispondono al source/drain di ciò sono verniciate con fosforo; da allora in poi, l'elaborazione termica è realizzata. Durante questo processo, il nichel che risiede in una regione di formazione della scanalatura è "gettered" nelle regioni precedentemente fosforo-verniciate. Con una tal disposizione, diventa possibile ridurre la concentrazione nel Ni in determinate regioni in cui chiaro-ha verniciato le regioni dell'impurità sarà formato più successivamente, che a sua volta permette la soppressione di affetto alle caratteristiche di TFT.