A modified PbZrTiO.sub.3 perovskite crystal material thin film, wherein the PbZrTiO.sub.3 perovskite crystal material includes crystal lattice A-sites and B-sites at least one of which is modified by the presence of a substituent selected from the group consisting of (i) A-site substituents consisting of Sr, Ca, Ba and Mg, and (ii) B-site substituents selected from the group consisting of Nb and Ta. The perovskite crystal thin film material may be formed by liquid delivery MOCVD from metalorganic precursors of the metal components of the thin film, to form PZT and PSZT, and other piezoelectric and ferroelectric thin film materials. The thin films of the invention have utility in non-volatile ferroelectric memory devices (NV-FeRAMs), and in microelectromechanical systems (MEMS) as sensor and/or actuator elements, e.g., high speed digital system actuators requiring low input power levels.

Uma película fina material de cristal modificada do perovskite PbZrTiO.sub.3, wherein o material de cristal do perovskite PbZrTiO.sub.3 inclui os Um-locais e os B-locais do lattice de cristal ao menos um de que é modificado pela presença de um substituent selecionado dos substituents consistindo do Um-local do grupo (i) que consistem no sr, no CA, no ba e no magnésio, e (ii) substituents do B-local selecionou do grupo que consiste no Nb e na Ta. O material de cristal da película fina do perovskite pode ser dado forma pelo MOCVD líquido da entrega dos precursors metalorganic dos componentes do metal da película fina, para dar forma a PZT e PSZT, e outros materiais piezoelectric e ferroelectric da película fina. As películas finas da invenção têm a utilidade nos dispositivos de memória ferroelectric permanentes (Nanovolt-FeRAMs), e nos sistemas microelectromechanical (MEMS) como elementos do sensor e/ou do atuador, por exemplo, atuadores de alta velocidade do sistema digital que requerem níveis baixos do poder de entrada.