A low elasticity layer (20) having an opening in an electrode arranging area where element electrodes are disposed is provided on a main surface of a semiconductor substrate (10). On the low elasticity layer (20), lands (32) serving as external electrodes are disposed, and pads (30) on the element electrodes, the lands (32) and metal wires (31) for connecting them are integrally formed as a metal wiring pattern (33). A solder resist film (50) having an opening for exposing a part of each land (32) is formed, and a metal ball (40) is provided on the land (32) in the opening. The low elasticity layer (20) absorbs thermal stress and the like caused in heating or cooling the semiconductor device, so as to prevent disconnection of the metal wires (31).

Uno strato basso di elasticità (20) che ha un'apertura in un elettrodo che organizza la zona dove gli elettrodi dell'elemento sono disposti di è fornito su una superficie principale di un substrato a semiconduttore (10). Sullo strato basso di elasticità (20), le terre (32) che servono mentre gli elettrodi esterni sono disposti di ed i rilievi (30) sugli elettrodi dell'elemento, sulle terre (32) e sui nastri metallici (31) per il collegamento loro sono formati integralmente come modello del nastro metallico (33). Una saldatura resiste alla pellicola (50) che ha un'apertura per esporre una parte di ogni terra (32) è formata e una sfera del metallo (40) è fornita sulla terra (32) nell'apertura. Lo strato basso di elasticità (20) assorbe lo sforzo termico ed i simili causati nel heating o nel raffreddamento del dispositivo a semiconduttore, in modo da impedire la sconnessione dei nastri metallici (31).