A process for use in fabrication of a semiconductor device is disclosed. The fabricated semiconductor device includes a top oxide aperture within a top oxidation layer and a bottom oxide aperture within a bottom oxidation layer precisely positioned relative to each other, and an electrical contact to a contact layer between the top and bottom oxidation layers. The process includes the following steps: etching past one of the oxidation layers and stopping in the contact layer, etching one or more holes traversing the top and bottom oxidation layers, and simultaneously oxidizing both oxidation layers. Etching past both oxidation layers in the same alignment step ensures that the centers of the two apertures, as formed through selective oxidation, will be aligned. Using this technique in the fabrication of semiconductor devices that include optically pumped vertical cavity surface emitting lasers promotes low-loss refractive index guiding combined with a mechanically robust and reproducibly fabricatable structure. The aligned oxide apertures provide a lateral refractive index profile, which guides the optical energy.

Een proces voor gebruik in vervaardiging van een halfgeleiderapparaat wordt onthuld. Het vervaardigde halfgeleiderapparaat omvat een hoogste oxydeopening binnen een hoogste oxydatielaag en een opening van het bodemoxyde binnen een laag van de bodemoxydatie die precies met betrekking tot elkaar, en een elektrocontact aan een contactlaag wordt geplaatst tussen de bovenkant en bodemoxydatielagen. Het proces omvat de volgende stappen: etsend voorbij één van de oxydatielagen en ophoudend in de contactlaag, etsend één of meerdere gaten die de bovenkant en bodemoxydatielagen oversteken, en gelijktijdig beide oxydatielagen oxyderen. Het etsen voorbij beide oxydatielagen in de zelfde groeperingsstap zorgt ervoor dat de centra van de twee openingen, zoals die door selectieve oxydatie worden gevormd, zullen worden gericht. Het gebruiken van deze techniek in de vervaardiging van halfgeleiderapparaten die optisch gepompte verticale holteoppervlakte uitzendend lasers omvatten bevordert r i leiden het met beperkte verliezen gecombineerd met een mechanisch robuuste en reproducibly fabricatable structuur. De gerichte oxydeopeningen verstrekken een zijr i profiel, dat de optische energie leidt.