An upper electrode of an FRAM capacitor is connected to a diffusion layer on the surface of a semiconductor substrate via a contact hole, second interconnecting layer, contact hole, first interconnecting layer, and contact hole. The first interconnecting layer is formed at substantially the same level as the FRAM capacitor. This decreases the depth of the contact hole connecting the first interconnecting layer to the surface of the semiconductor substrate and thereby decreases the aspect ratio of this contact hole. This facilitates processing and filling this contact hole and allows micropatterning.

Um elétrodo superior de um capacitor de FRAM é conectado a uma camada da difusão na superfície de uma carcaça do semicondutor através de um furo do contato, à segunda camada interconectando, ao furo do contato, à primeira camada interconectando, e ao furo do contato. A primeira camada interconectando é dada forma substancialmente no mesmo nível que o capacitor de FRAM. Isto diminui a profundidade do furo do contato que conecta a primeira camada interconectando à superfície da carcaça do semicondutor e diminui desse modo a relação de aspecto deste furo do contato. Isto facilita processar e encher este furo do contato e reserva micropatterning.