A method of depositing a (200)-oriented platinum thin film on a substrate, including the steps of forming a oxygen containing platinum layer on the surface of a silicon wafer heated to a temperature range over room temperature and not exceeding 700.degree. C. under a mixed gaseous atmosphere of oxygen and inert gas and annealing the substrate at a temperature between 400.degree. C. and 1000.degree. C. The platinum thin film formed according to the present invention in (200)-oriented and does not have any conventional defects such as hillocks or voids.

Een methode van het deponeren a (200)-georiënteerde platina dunne film op een substraat, met inbegrip van de stappen van het vormen van een zuurstof die platinalaag op de oppervlakte van een siliciumwafeltje bevat dat aan een temperatuurwaaier wordt verwarmd over kamertemperatuur en geen 700.degree. C. overschrijdt onder een gemengde gasachtige atmosfeer zuurstof en inert gas en het substraat onthardt bij een temperatuur tussen 400.degree. C. en 1000.degree. C. De platina dunne film die volgens de onderhavige uitvinding binnen wordt gevormd (200)-georiënteerd en heeft geen conventionele tekorten zoals hillocks of leegten.