A GaAlInBN systems semiconductor device is spaced apart from a substrate by a layer for reducing the propagation of a dislocation. This layer has a protrusion or protrusions, each having sidewalls on which a single crystal is exposed.

Прибора на полупроводниках систем GaAlInBN размечен отдельно от субстрата слоем для уменьшения распространения вывихивания. Этот слой имеет выступание или выступания, каждое имея стенки на которые одиночный кристалл подвергается действию.