A semiconductor device having a semiconductor element, characterized in that said semiconductor device comprises a stacked body obtained by providing a laminate comprising said semiconductor element and a sealing resin which are interposed between a front surface member and a back face member, evacuating said laminate at a vacuum of 5 Torr or less for 5 to 40 minutes, subjecting the laminate thus treated to thermocompression bonding at a vacuum degree of 5 Torr or less, and cooling the laminate subjected to said thermocompression bonding so as to engage in contact bonding. The laminated semiconductor device is free of the air bubbles therein.

Un dispositivo a semiconduttore che fa un elemento a semiconduttore caratterizzare, in quel dispositivo detto a semiconduttore contiene un corpo impilato ottenuto fornendo un laminato che contiene l'elemento detto a semiconduttore e una resina di sealing che sono interposti fra un membro di superficie anteriore e un membro posteriore della faccia, evacuanti il detto laminato ad un vuoto di 5 torr o di meno per 5 - 40 minuti, sottoponendo il laminato trattato così al bonding di termocompressione ad un grado di vuoto di 5 torr o più di meno e raffreddante il laminato sottoposto a bonding detto di termocompressione in modo da agganciarsi nel bonding del contatto. Il dispositivo laminato a semiconduttore è esente dalle bolle di aria in ciò.

 
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< Broad MWD, compositionally uniform ethylene interpolymer compositions, process for making the same and article made therefrom

> Process for producing nitrile

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