The present invention is a method of making a lithography photomask and photomask blank. The method of making the lithography photomask and photomask blank includes providing a silicon oxyfluoride glass tube having an OH content less than 50 ppm. The method further includes cutting the silicon oxyfluoride glass tube, flattening the silicon oxyfluoride glass tube, and forming the flattened cut silicon oxyfluoride glass tube into a photomask blank having a planar surface. The present invention includes a glass lithography mask preform. The glass lithography mask preform is a longitudinal silicon oxyfluoride glass tube that has an OH content .ltoreq.10 ppm, a F wt. % concentration .gtoreq.0.5 wt. %.

Присытствыющим вымыслом будет метод делать photomask литографированием и пробел photomask. Метод делать photomask литографированием и пробел photomask вклюает обеспечивать оксифторид кремния стеклянная пробка имея содержание oh более менее чем 50 ppm. Метод более дальнейший вклюает резать пробку оксифторида кремния стеклянную, сплющивать пробку оксифторида кремния стеклянную, и формировать сплющенную пробку оксифторида кремния отрезока стеклянную в пробел photomask имея плоскостную поверхность. Присытствыющий вымысел вклюает стеклянный preform маски литографированием. Стеклянный preform маски литографированием будет пробкой имеет ltoreq.10 ppm oh содержимое, ф концентрации wt % продольного оксифторида кремния стеклянной wt % gtoreq.0.5.