A memory cell (101), its method of formation, and operation are disclosed. In accordance with one embodiment, the memory cell (101) comprises a first and second current carrying electrode (12) a control electrode (19), and doped discontinuous storage elements (17). In accordance with an alternative embodiment, memory cell programming is accomplished by removing or adding an average of approximately at least a first charge (30, 62, 64), which can be electron(s) or hole(s) from each of the doped discontinuous storage elements (17).

Una cellula di memoria (101), il relativo metodo di formazione ed il funzionamento sono rilevati. In conformità con un incorporamento, la cellula di memoria (101) contiene primo e secondo elettrodo trasportante corrente (12) un elettrodo di controllo (19) e gli elementi discontinui verniciati di immagazzinaggio (17). In conformità con un incorporamento alternativo, la programmazione delle cellule di memoria è compiuta rimuovendo o aggiungendo una media approssimativamente almeno di una prima carica (30, 62, 64), che può essere electron(s) o hole(s) da ciascuno degli elementi discontinui verniciati di immagazzinaggio (17).