A process for maintaining a semiconductor substrate layer (e.g. a TiN, W or TEOS) deposition equipment chamber in a preconditioned and low particulate state between successive layer depositions. The first step is determining that the equipment chamber has been in an idle state for more than a first predetermined time period. In the second step, the equipment chamber pressure is reduced to its base pressure in the absence of gas flow, while maintaining the equipment chamber at a first predetermined temperature. In the third step, the equipment chamber is maintained at a second predetermined temperature for a second predetermined time period. During this step, the equipment chamber pressure is held at a first predetermined pressure, while an inert gas is discharged at a first predetermined inert gas flow rate through the equipment chamber. The pressure, time period and gas flow rate in this step are selected in such a way that adequate and thorough heating (i.e. preconditioning) of the equipment chamber and any associated hardware is provided. During the fourth step, the equipment chamber is purged with a inert gas(s) at a second predetermined inert gas flow rate that is greater than the first predetermined inert gas flow rate, to dislodge particulates within the equipment chamber, while maintaining the equipment chamber at a third predetermined temperature. The process sequence from the second step to the fourth step is repeated a predetermined number of times, typically 4 to 6 times. The equipment chamber is then returned to the idle state.

Un proceso para mantener un compartimiento del equipo de la deposición de la capa del substrato del semiconductor (e.g. una lata, un W o un TEOS) en un estado de partículas precondicionado y bajo entre las deposiciones sucesivas de la capa. El primer paso se está determinando que el compartimiento del equipo ha estado en un estado IDLE para más que un primer período predeterminado. En el segundo paso, la presión del compartimiento del equipo se reduce a su presión baja en ausencia del flujo del gas, mientras que mantenía el compartimiento del equipo en un primer predeterminó temperatura. En el tercer paso, el compartimiento del equipo se mantiene en un segundo predeterminó la temperatura por un segundo período predeterminado. Durante este paso, la presión del compartimiento del equipo se lleva a cabo en una primera presión predeterminada, mientras que un gas inerte se descarga en un caudal primero predeterminado del gas inerte a través del compartimiento del equipo. La presión, el período y el caudal del gas en este paso se seleccionan de una manera tal que la calefacción adecuada y cuidadosa (es decir precondicionando) del compartimiento del equipo y de cualquier hardware asociado esté proporcionada. Durante el cuarto paso, el compartimiento del equipo se purga con un gas(s) inerte en un segundo caudal predeterminado del gas inerte que sea mayor que el caudal primero predeterminado del gas inerte, para desalojar particulates dentro del compartimiento del equipo, mientras que mantenía el compartimiento del equipo en un tercer predeterminó temperatura. La secuencia de proceso del segundo paso al cuarto paso se repite un número predeterminado de las épocas, típicamente 4 a 6 veces. El compartimiento del equipo entonces se vuelve al estado IDLE.