A non-volatile memory comprising a semiconductor active layer provided on an insulating substrate, an insulating film provided on the semiconductor active layer, a floating gate electrode provided on the insulating film, an anodic oxidized film obtained by anodic oxidation of the floating gate electrode, and a control gate electrode provided in contact with the anodic oxidized film, and a semiconductor device, particularly a liquid crystal display device comprising the non-volatile memory.

Μια αμετάβλητη μνήμη που περιλαμβάνει ένα ενεργό στρώμα ημιαγωγών που παρέχεται σε ένα μονώνοντας υπόστρωμα, μια μονώνοντας ταινία που παρέχονται στο ενεργό στρώμα ημιαγωγών, ένα επιπλέον ηλεκτρόδιο πυλών που παρέχονται στη μονώνοντας ταινία, μια ανοδική οξειδωμένη ταινία που λαμβάνονται από την ανοδική οξείδωση του επιπλέοντος ηλεκτροδίου πυλών, και ένα ηλεκτρόδιο πυλών ελέγχου που παρέχονται σε επαφή με την ανοδική οξειδωμένη ταινία, και μια συσκευή ημιαγωγών, ιδιαίτερα μια συσκευή υγρής επίδειξης κρυστάλλου περιλαμβάνοντας την αμετάβλητη μνήμη.