A plasma process reactor is disclosed that allows for greater control in varying the functional temperature range for enhancing semiconductor processing and reactor cleaning. The temperature is controlled by splitting the process gas flow from a single gas manifold that injects the process gas behind the gas distribution plate into two streams where the first stream goes behind the gas distribution plate and the second stream is injected directly into the chamber. By decreasing the fraction of flow that is injected behind the gas distribution plate, the temperature of the gas distribution plate can be increased. The increasing of the temperature of the gas distribution plate results in higher O.sub.2 plasma removal rates of deposited material from the gas distribution plate. Additionally, the higher plasma temperature aids other processes that only operate at elevated temperatures not possible in a fixed temperature reactor.

Um reator do processo do plasma é divulgado que permita um controle mais grande em variar a escala de temperatura funcional para processar do semicondutor e limpeza realçando do reator. A temperatura é controlada rachando o fluxo process do gás de um único distribuidor do gás que injete o gás process atrás da placa da distribuição do gás em dois córregos aonde o primeiro córrego vai atrás da placa da distribuição do gás e o segundo córrego é injetado diretamente na câmara. Diminuindo a fração do fluxo que é injetado atrás da placa da distribuição do gás, a temperatura da placa da distribuição do gás pode ser aumentada. O aumento da temperatura da placa da distribuição do gás resulta em umas taxas mais elevadas da remoção do plasma O.sub.2 do material depositado da placa da distribuição do gás. Adicionalmente, a temperatura mais alta do plasma ajuda a outros processos que se operam somente nas temperaturas elevated nao possíveis em um reator fixo da temperatura.