A semiconductor wafer cleaning formulation for use in post plasma ashing semiconductor fabrication comprising the following components in the percentage by weight ranges shown:

                chelating agent               1-15%
                water                        25-99%
                polar organic solvent            0-60%
In the preferred embodiment the chelating agent is catechol (1,2-dihydroxybenzene) and the polar organic solvent is gamma butyrolactone (BLO).

Μια διατύπωση γκοφρετών ημιαγωγών που καθαρίζουν για τη χρήση στη μετα επεξεργασία ημιαγωγών πλάσματος που αποτεφρώνει που περιλαμβάνει τα ακόλουθα συστατικά στο ποσοστό από τις σειρές βάρους που παρουσιάζονται: πολικός οργανικός διαλύτης 0-60% ύδατος 25-99% σχηματίζοντας χηλική ένωση πρακτόρων 1-15% Στην προτιμημένη ενσωμάτωση ο σχηματίζοντας χηλική ένωση πράκτορας είναι catechol (1,2-dihydroxybenzene) και ο πολικός οργανικός διαλύτης είναι βουτυρολακτόνη γάμμα (BLO).

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Resist stripping composition and process for stripping resist

> Method of producing samples of semiconductor substrate with quantified amount of contamination

> (none)

~ 00021