A optically-pumped semiconductor (OPS), vertical-cavity, surface-emitting laser (VCSEL) includes a first mirror having a quantum-well structure thereon which provides a gain medium for the laser. A second mirror is spaced apart from the quantum-well structure and, together with the first mirror, forms a resonant cavity for the laser. Optical pump-radiation is directed through the gap into the quantum-well structure via an outermost layer of the quantum-well structure. The quantum-well structure includes a plurality of quantum-well layers spaced apart by pump-radiation absorbing layers. Quantum-well and pump-radiation absorbing layers are aluminum-free layers of alloys of the GaAs/InGaAsP system.

Оптически-nagnetenny1 полупроводник (OPS), вертикальн-polost6, поверхност-ispuska4 лазер (VCSEL) вклюает первое зеркало имея структуру summy-nailucwim образом thereon которая обеспечивает средство увеличения для лазера. Второе зеркало размечено отдельно от структуры summy-nailucwim образом и, together with первое зеркало, формирует резонирующую полость для лазера. Оптически насос-radiaqi4 направлена через зазор в структуру summy-nailucwim образом через outermost слой структуры summy-nailucwim образом. Структура summy-nailucwim образом вклюает множественность слоев summy-nailucwim образом размеченных врозь слоями насос-radiaqii absorbing. Слоями Summy-nailucwim образом и насос-radiaqii absorbing будут алюмини-svobodno слои сплавов системы GaAs/InGaAsP.