A method in which a gate structure having a ferroelectric film and a
conductor film is processed easily and without causing damage is provided.
A first IrO.sub.2 film is deposited on a substrate. A ferroelectric film
is formed by applying a light-sensitive sol-gel solution containing a
ferroelectric material dissolved therein onto the first IrO.sub.2 film. A
difference in solubility at the time of development is made between an
exposed portion and an unexposed portion of the light-sensitive sol-gel
solution. A second IrO.sub.2 film is deposited on the ferroelectric film.
A shading film and an etching mask of predetermined patterns are formed on
the second IrO.sub.2 film. The second IrO.sub.2 film is processed using
the etching mask and an upper electrode is formed. The pattern of the
shading film is transferred to the ferroelectric film by effecting
exposure. An exposed region of the ferroelectric film is removed by
effecting development. Only an unexposed region remains as a ferroelectric
film. The first IrO.sub.2 film is processed using the etching mask and a
lower electrode is thereby formed.
Метод в структура строба имея ferroelectric пленку и пленку проводника обработана легко и без причиненный ущерб обеспечен. Первая пленка IrO.sub.2 депозирована на субстрате. Ferroelectric пленка сформирована путем прикладывать светочувствительное разрешение соленоид-gel4 содержа ferroelectric материал растворенный в этом на первую пленку IrO.sub.2. В растворимости во время развития внесен изменения между, котор подвергли действию частью и unexposed частью светочувствительного разрешения соленоид-gel4. Вторая пленка IrO.sub.2 депозирована на ferroelectric пленке. Затеняя пленка и маска вытравливания предопределенных картин сформированы на второй пленке IrO.sub.2. Обработана вторая пленка IrO.sub.2 использующ маску вытравливания и верхний электрод сформирован. Картина затеняя пленки перенесена к ferroelectric пленке путем производить эффект выдержка. , котор подвергли действию зона ferroelectric пленки извлекается путем производить эффект развитие. Только unexposed зона остает как ferroelectric пленка. Обработана первая пленка IrO.sub.2 использующ маску вытравливания и более низкий электрод таким образом сформирован.
