At least one of a p type semiconductor layer, an i type amorphous silicon-based photoelectric conversion layer, and an n type semiconductor layer that compose an amorphous silicon-based thin film photoelectric conversion device is deposited under the following conditions. Silane-type gas as a main component of raw material gas which is supplied into a reaction chamber and dilution gas containing hydrogen are used, the flow rate of the dilution gas is four or less times that of the silane-type gas, the partial pressure of the silane-type gas in the plasma CVD reaction chamber ranges from 1.2 Torr to 5.0 Torr, and the distance between a surface of a substrate mounted on an anode electrode and a surface of a cathode electrode ranges from 8 mm to 15 mm. Accordingly, a method of manufacturing an amorphous silicon-based thin film photoelectric conversion device having a superior performance is obtained with an improved efficiency in the use of raw material gas as well as an enhanced deposition rate to achieve improvements in cost and efficiency in production. Even if the dilution gas is not used, the advantages above can be achieved under the same conditions as those described above except for the condition concerning dilution gas.

Ein mindestens einer p Art Halbleiterschicht, eine i Art formlose Silikon-gegründete photoelektrische Umwandlung Schicht und eine n Art Halbleiterschicht, die eine formlose Silikon-gegründete photoelektrische Vorrichtung Umwandlung des Dünnfilms bestehen, wird unter den folgenden Bedingungen niedergelegt. Siliziumwasserstoff-Art Gas als Hauptbestandteil des Rohstoffgases, das in einen Reaktion Raum geliefert wird und das Verdünnunggas, das Wasserstoff enthält, verwendet werden, die Strömungsgeschwindigkeit des Verdünnunggases ist vier oder weniger Mal, die von der Siliziumwasserstoff-Art Gas, der teilweise Druck der Siliziumwasserstoff-Art Gas im Plasma CVD Reaktion Raum von 1.2 Torr bis zu 5.0 Torr reicht, und der Abstand zwischen einer Oberfläche eines Substrates, das an einer Anode Elektrode angebracht wird und einer Oberfläche einer Kathode Elektrode reicht von 8 Millimeter bis zu 15 Millimeter. Dementsprechend wird eine Methode der Produktion einer formlosen Silikon-gegründeten photoelektrischen Vorrichtung Umwandlung des Dünnfilms, die eine überlegene Leistung hat, mit einer verbesserten Leistungsfähigkeit im Gebrauch von Rohstoffgas sowie eine erhöhte Absetzungrate, Verbesserungen in den Kosten zu erzielen und Leistungsfähigkeit in der Produktion erhalten. Selbst wenn das Verdünnunggas nicht benutzt wird, können die Vorteile oben unter den gleichen Bedingungen wie die erzielt werden, die oben außer der Bedingung hinsichtlich ist des Verdünnunggases beschrieben werden.