A tunable semiconductor laser assembly includes a laser with a seal surface, a semiconductor active region positioned between upper and lower confining regions of opposite type semiconductor material and first and second reflective members positioned at opposing edges of the active and confining regions. A seal cap includes a seal ring. The seal cap seal ring is coupled to the seal surface and forms a hermetic seal. A wavelength tuning member and a temperature sensor is coupled to the laser. A temperature sensor coupled to the laser. A control loop is coupled to the temperature sensor and the tuning member. In response to a detected change in temperature the control loop sends an adjustment signal to the tuning member, and the tuning member adjusts a voltage or current supplied to the laser to provide a controlled frequency and power of an output beam.

Un laser réglable de semi-conducteur inclut un laser avec une surface de joint, une région active de semi-conducteur placée entre les régions d'emprisonnement supérieures et inférieures du type opposé matériel de semi-conducteur et membres d'abord et en second lieu r3fléchissants placés aux bords d'opposition des régions actives et confinantes. Un chapeau de joint inclut un anneau du joint. L'anneau du joint de chapeau de joint est couplé sur la surface de joint et forme un joint hermétique. Un membre d'accord de longueur d'onde et une sonde de température est couplé au laser. Une sonde de température couplée au laser. Une boucle d'avertissement est couplée à la sonde de température et au membre d'accord. En réponse à un changement détecté de la température la boucle d'avertissement envoie un signal d'ajustement au membre d'accord, et le membre d'accord ajuste une tension ou un courant fourni au laser pour fournir une fréquence et une puissance commandées d'un faisceau de rendement.