A semiconductor device and a process for producing the same. The device has two conducting layers that are spaced from each other and an organic insulating film for electrically insulating these two conducting layers from each other. The organic insulating film contains contact holes with plugs being embedded therein so as to electrically connect these two conducting layers by the plugs. The process contains a step of forming the organic insulating film on the lower conducting layer. An impurity having a kinetic energy is introduced into the organic insulating film. Next, contact holes are formed in the organic insulating film, and then plugs are formed in the contact holes. An upper conducting layer is formed on the organic insulating film so as to be electrically connected to the plugs.

Прибора на полупроводниках и процесс для производить эти же. Приспособление имеет 2 дирижируя слоя размечены от себя и органической изолируя пленку для электрически изолировать эти 2 дирижируя слоя от себя. Органическая изолируя пленка содержит отверстия контакта при штепсельные вилки будучи врезанной в этом электрически для того чтобы соединить эти 2 дирижируя слоя штепсельными вилками. Процесс содержит шаг формировать органическую изолируя пленку на более низком дирижируя слое. Примесь имея кинетическую энергию введена в органическую изолируя пленку. Затем, сформированы отверстия контакта в органической изолируя пленке, и после этого штепсельные вилки сформированы в отверстиях контакта. Верхний дирижируя слой сформирован на органической изолируя пленке электрически быть соединенным к штепсельным вилкам.