A flip-ship structure having a semiconductor substrate including an electronic device formed thereon, a contact pad on said semiconductor substrate electrically connected to said electronic device, a passivation layer on said semiconductor substrate and on said contact pad wherein said passivation layer defines a contact hole therein exposing a portion of said contact pad, an under-bump metallurgy structure on said passivation layer electrically contacting said portion of said contact pad that is exposed; and a solder structure on said under-bump metallurgy structure opposite said semiconductor substrate, said solder structure including an elongate portion on said elongate portion of said metallurgy structure opposite said contact pad and an enlarged width portion on said enlarged width portion of said metallurgy structure opposite said passivation layer.

Lanci-spedisca la struttura che ha un substrato a semiconduttore compreso un dispositivo elettronico formato su ciò, un rilievo del contatto sul substrato detto a semiconduttore collegato elettricamente al dispositivo elettronico detto, uno strato di passività sul substrato detto a semiconduttore e sul rilievo detto in cui lo strato detto di passività definisce un foro del contatto in ciò che espone una parte del rilievo detto del contatto, una struttura del contatto di metallurgia dell'sotto-urto sullo strato detto di passività che si mette in contatto con elettricamente la detta parte del rilievo detto del contatto che è esposto; e una struttura della saldatura sulla struttura detta di metallurgia dell'sotto-urto di fronte al substrato detto a semiconduttore, sulla struttura detta della saldatura compreso una parte prolungata sulla parte prolungata detta della struttura detta di metallurgia di fronte al rilievo detto del contatto e su una parte ingrandita di larghezza sulla parte ingrandita detta di larghezza di metallurgia detta struttura di fronte allo strato detto di passività.