A semiconductor memory device includes ferroelectric memory cells, cell transistors connected between first nodes of the memory cells and data transfer lines, the memory cells and the cell transistors being grouped into units each corresponding to one or more column addresses, global word lines, one of which is activated in response to selection of a corresponding row address, global plate lines, one of which is activated in response to selection of the corresponding row address, local word lines, each of which is provided and dedicated for a corresponding one of the units, and is connected to gates of the cell transistors, local plate lines, each of which is provided and dedicated for a corresponding one of the units, and is connected to second nodes of the memory cells, and a unit switch circuit which electrically connects the activated one of the global word lines to one of the local word lines in a selected one of the units so as to achieve the same potential therebetween, and electrically connects the activated one of the global plate lines to one of the local plate lines in the selected one of the units so as to achieve the same potential therebetween.

Um dispositivo de memória do semicondutor inclui pilhas de memória ferroelectric, transistor da pilha conectados entre primeiros nós das pilhas de memória e linhas de transferência dos dados, as pilhas de memória e os transistor da pilha que estão sendo agrupados em unidades cada uma que corresponde a um ou mais endereço de coluna, as linhas globais da palavra, um de que é ativado em resposta à seleção de um endereço correspondente da fileira, as linhas globais da placa, um de que é ativado em resposta à seleção do endereço correspondente da fileira, as linhas locais da palavra, cada uma de que é fornecida e dedicada para correspondente das unidades, e é conectado às portas dos transistor da pilha, as linhas locais da placa, cada uma de que é fornecida e dedicado para correspondente das unidades, e é conectado aos segundos nós das pilhas de memória, e um circuito do interruptor da unidade que conecte eletricamente ativado das linhas globais da palavra a uma das linhas locais da palavra em uma selecionada das unidades para conseguir o mesmo potencial therebetween, e conecta eletricamente ativado das linhas globais da placa a uma das linhas locais da placa na selecionada das unidades para conseguir o mesmo potencial therebetween.