A metallic (or semiconductor) layer is used with a prism to provide a
surface plasmon wave under total reflection conditions of an incident
light of predetermined wavelength outside the visible spectrum. The metal
layer is selected with a refractive index as small as possible and an
extinction coefficient as large as possible within the wavelength of
interest and is covered with a solid dielectric layer characterized by
predetermined optical parameters. This layer plays the role of a light
waveguide that generates waveguide modes coupled to surface plasmons,
resulting in a new set of resonances excited by both p- and s-polarized
excitation light and characterized by much narrower spectra than produced
by conventional SPR. In a particular embodiment of the invention, the
dielectric layer is designed to serve both as a waveguide and as an
electrode for monitoring simultaneously electrical characteristics and
optical parameters of thin films and interfaces.
Eine metallische (oder Halbleiter) Schicht wird mit einem Prisma verwendet, um eine Oberflächenplasmonwelle unter Gesamtreflexion Zuständen eines Ereignislichtes der vorbestimmten Wellenlänge außerhalb des sichtbaren Spektrums zur Verfügung zu stellen. Die Metallschicht wird mit einem Brechungsindex vorgewählt, der so klein sind, wie möglich und einem Löschungkoeffizienten, der innerhalb der Wellenlänge des Interesses so groß ist, wie möglich und wird mit einer festen dielektrischen Schicht umfaßt, die durch vorbestimmte optische Parameter gekennzeichnet wird. Diese Schicht spielt die Rolle eines hellen Wellenleiters, der die Wellenleitermodi erzeugt, die verbunden werden, um aufzutauchen Plasmons, und das resultiert in einem neuen Satz Resonanzen, die durch p aufgeregt werden und s-polarisierte Erregunglicht und gekennzeichnet durch viel schmalere Spektren als durch herkömmliches SPR produziert. In einer bestimmten Verkörperung der Erfindung, ist die dielektrische Schicht entworfen, um als Wellenleiter und als Elektrode für elektrische Eigenschaften und optische Parameter der Dünnfilme und der Schnittstellen gleichzeitig überwachen zu dienen.
