A silicon carbide epitaxial film, grown on an offcut surface of a SiC crystalline substrate of hexagonal crystal form, having an offcut angle of from about 6 to about 10 degrees, toward the <1100> crystalline direction of the substrate. The resultant silicon carbide epitaxial film has superior morphological and material properties.

Μια κρυσταλλική ταινία καρβιδίου του πυριτίου, που αυξάνεται σε μια επιφάνεια αποκομμάτων ενός κρυστάλλινου υποστρώματος SiC της εξαγωνικής μορφής κρυστάλλου, που έχει μια γωνία αποκομμάτων από περίπου 6 σε περίπου 10 βαθμούς, προς την κρυστάλλινη κατεύθυνση του υποστρώματος. Η επακόλουθη κρυσταλλική ταινία καρβιδίου του πυριτίου έχει τις ανώτερες μορφολογικές και υλικές ιδιότητες.