A flip-chip-type device is formed from a plurality of flip-chip
semiconductor device units integrated together on a common substrate
having a Group III nitride compound semiconductor layer. Each of the
flip-chip semiconductor device units includes a positive electrode and a
negative electrode. A curable sealing resin is laminated on a surface of
the common substrate on which electrodes are formed and cured. Thereafter,
the common substrate and the cured sealing resin are divided into a
plurality of individual sealed flip-chip semiconductor devices. Because
the positive and negative electrodes are formed on the same side of the
Group III nitride compound layer, the sealing resin need only be laminated
and cured on one side of the Group III nitride compound layer, i.e., on
the side on which the electrodes are formed. The opposite side (without
the electrodes) of the Group III nitride compound layer does not require
lamination with the sealing resin, since Group III nitride compound layers
generally are characterized by high stability and durability. Metal
pillars may be formed on the electrodes and extend through the cured resin
to electrically connect the flip-type semiconductor device to an external
source. The resulting flip-chip-type device is a self-contained package,
which can be sold separately from the external member or source, and
thereafter mounted on the external member or source.
Un lanci-circuito-tipo dispositivo è formato da una pluralità di unità del dispositivo a semiconduttore del lanci-circuito integrato integrate insieme su un substrato comune che ha uno strato a semiconduttore compound del nitruro del gruppo III. Ciascuna delle unità del dispositivo a semiconduttore del lanci-circuito integrato include un elettrodo positivo e un elettrodo negativo. Una resina curabile di sealing è laminata su una superficie del substrato comune su cui gli elettrodi sono formati e si curano. Da allora in poi, il substrato comune e la resina di sigillamento curata sono divisi in una pluralità di diversi dispositivi sigillati a semiconduttore del lanci-circuito integrato. Poiché gli elettrodi positivi e negativi sono formati dallo stesso lato dello strato compound del nitruro del gruppo III, la resina di sealing deve soltanto essere laminata e curarsi da un lato dello strato compound del nitruro del gruppo III, cioè, dal lato su cui gli elettrodi sono formati. Il lato opposto (senza gli elettrodi) dello strato compound del nitruro del gruppo III non richiede la laminazione con la resina di sealing, poiché gli strati compound del nitruro del gruppo III sono caratterizzati generalmente da alte stabilità e durevolezza. Le colonne del metallo possono essere formate sugli elettrodi ed estendersi attraverso la resina curata per collegare elettricamente il lanci-tipo dispositivo a semiconduttore ad una fonte esterna. Il lanci-circuito-tipo risultante dispositivo è un pacchetto autonomo, che può essere venduto esclusivamente dal membro o dalla fonte esterno e da allora in poi montato sul membro o sulla fonte esterno.
