An architecture for selectively writing one or more magnetic memory cells
in a magnetic random access memory (MRAM) device comprises at least one
write line including a global write line conductor and a plurality of
segmented write line conductors connected thereto, the global write line
conductor being substantially isolated from the memory cells. The
architecture further includes a plurality of segmented groups, each
segmented group including a plurality of memory cells operatively coupled
to a corresponding segmented write line conductor, and a plurality of
segmented group select switches, each group select switch being
operatively connected between a corresponding segmented write line
conductor and a write line current return conductor, the group select
switch including a group select input for receiving a group select signal,
the group select switch substantially completing an electrical circuit
between the corresponding segmented write line conductor and the write
line current return conductor in response to the group select signal. A
plurality of bit lines are operatively coupled to the magnetic memory
cells for selectively writing the state of the memory cells.
Uma arquitetura para seletivamente escrever um ou mais pilha de memória magnética em um dispositivo magnético da memória de acesso aleatório (MRAM) compreende ao menos um escreve a linha including um global escreve a linha condutor e um plurality do segmentado escreve a linha condutores conectados a isso, o global escreve a linha condutor que está sendo isolado substancialmente das pilhas de memória. A arquitetura mais adicional inclui um plurality de grupos segmentados, cada grupo segmentado including um plurality das pilhas de memória acopladas operativa a corresponder segmentado escreve a linha condutor, e um plurality de interruptores seletos segmentados do grupo, cada interruptor seleto do grupo que está sendo conectado operativa entre corresponder segmentado escreve a linha condutor e uma linha da escrita o condutor do retorno atual, o interruptor seleto do grupo including uma entrada seleta do grupo para receber um sinal seleto do grupo, o interruptor seleto do grupo que termina substancialmente um circuito elétrico entre corresponder segmentado escreve a linha condutor e a linha da escrita condutor do retorno atual em resposta ao sinal seleto do grupo. Um plurality de linhas do bocado é acoplado operativa às pilhas de memória magnéticas para seletivamente escrever o estado das pilhas de memória.
