A capacitor having high capacitance using a silicon-containing conductive layer as a storage node, and a method for forming the same, are provided. The capacitor includes a storage node, an amorphous Al.sub.2 O.sub.3 dielectric layer, and a plate node. The amorphous Al.sub.2 O.sub.3 layer is formed by a method in which reactive vapor phase materials are supplied on the storage node, for example, an atomic layered deposition method. Also, the storage node is processed by rapid thermal nitridation before forming the amorphous Al.sub.2 O.sub.3 layer. The amorphous Al.sub.2 O.sub.3 layer is densified by annealing at approximately 850.degree. C. after forming a plate node, to thereby realize the equivalent thickness of an oxide layer which approximates a theoretical value of 30 .ANG..

Un condensador que tiene alta capacitancia usando una capa conductora silicio-que contiene como nodo del almacenaje, y un método para formar igual, se proporcionan. El condensador incluye un nodo del almacenaje, una capa dieléctrica amorfa de Al.sub.2 O.sub.3, y un nodo de la placa. La capa amorfa de Al.sub.2 O.sub.3 es formada por un método en el cual los materiales reactivos de la fase del vapor se provean en el nodo del almacenaje, por ejemplo, un método acodado atómico de la deposición. También, el nodo del almacenaje es procesado por el nitridation termal rápido antes de formar la capa amorfa de Al.sub.2 O.sub.3. La capa amorfa de Al.sub.2 O.sub.3 es densified recociendo en aproximadamente 850.degree. C. después de formar un nodo de la placa, de tal modo para realizar el grueso equivalente de una capa del óxido que aproxima un valor teórico del ANG. 30.