A driving circuit of a nonvolatile ferroelectric memory device and a method for driving the same are disclosed, in which the driving circuit is suitable for preventing the cell data destroy due to the abnormal changes of a voltage. A driving circuit of a nonvolatile ferroelectric memory device that uses residual polarization characteristic of ferroelectric includes: a detecting unit for detecting voltage changes of a system; a system voltage sensing signal generator for generating a low voltage sensing output or a normal voltage sensing output as a system voltage changes from a normal voltage to a lower voltage or from a lower voltage to a normal voltage; and a signal synchronization and chip control part for controlling an operation stopping or starting point of a memory cell by synchronizing output of the system voltage sensing signal generator with a chip activation signal.

Un circuit d'entraînement d'un bloc de mémoires ferroelectric non-volatile et une méthode pour conduire la même chose sont révélés, dans lesquels le circuit d'entraînement convient à empêcher les données de cellules détruisent en raison des changements anormaux d'une tension. Un circuit d'entraînement d'un bloc de mémoires ferroelectric non-volatile qui emploie la polarisation résiduelle caractéristique de ferroelectric inclut : une unité détectante pour détecter des changements de tension d'un système ; un générateur de signal de sensation de tension de système pour produire d'une basse tension sentant le rendement ou d'une tension normale sentant le rendement en tant que changements d'une tension de système d'une tension normale à une plus basse tension ou d'une plus basse tension à une tension normale ; et une synchronisation de signal et une pièce de commande de morceau pour commander une opération s'arrêtant ou point de départ d'une cellule de mémoire en synchronisant le rendement du générateur de signal de sensation de tension de système avec un signal d'activation de morceau.