A semiconductor wafer etching system exhausts an exhaust gas including fluorocarbon gas to an exhaust line. Two traps, that are capable of trapping the fluorocarbon gas in the exhaust gas by cooled adsorption and releasing the adsorbed fluorocarbon gas by heating, are alternately arranged on the exhaust line. The two traps are alternately separated from the exhaust gas and regenerated on a regeneration line which serves to release the adsorbed fluorocarbon gas from the traps. The trap which is in the trap mode to adsorb the fluorocarbon gas is cooled to -120.degree. C. or less. The trap which is in the regeneration mode to release the adsorbed fluorocarbon gas is heated to -100.degree. C. or more.

Ένα σύστημα χαρακτικής γκοφρετών ημιαγωγών εξαντλεί μια εξάτμιση αέριο συμπεριλαμβανομένου fluorocarbon αέριο σε μια γραμμή εξάτμισης. Δύο παγίδες, που είναι σε θέση fluorocarbon αέριο στην εξάτμιση αέριο από τη δροσισμένη προσρόφηση και προσροφημένο fluorocarbon αέριο με τη θέρμανση, τακτοποιούνται διαδοχικά στη γραμμή εξάτμισης. Οι δύο παγίδες είναι διαδοχικά χωρισμένες από την εξάτμιση αέριο και αναπαραγμένες σε μια γραμμή αναγέννησης που χρησιμεύει να απελευθερώσει προσροφημένο fluorocarbon αέριο από τις παγίδες. Η παγίδα που είναι στον τρόπο παγίδων για να προσροφήσει fluorocarbon αέριο δροσίζεται σε -120.degree. γ. ή λιγότεροι. Η παγίδα που είναι στον τρόπο αναγέννησης για να απελευθερώσει προσροφημένο fluorocarbon αέριο θερμαίνεται σε -100.degree. Γ. ή περισσότερο.