A nonvolatile ferroelectric memory device and a method for driving the same only vary a wordline during precharge time to shorten the precharge time and thus minimize chip cycle time, thereby improving chip characteristics. The nonvolatile ferroelectric memory device is provided with a plurality of sub cell arrays consisting of a plurality of main cells and at least one reference cell, wherein the reference cell of any one of the sub cell arrays is operated along with a main cell of a neighboring sub cell array. The nonvolatile ferroelectric memory device includes a switching unit controlled by a reference wordline signal for selectively transmitting a reference voltage stored in a ferroelectric capacitor to a bitline, a level initiating unit for selectively initiating a level of an input terminal of the switching unit connected to the ferroelectric capacitor, and a plurality of ferroelectric capacitors connected to the input terminal of the switching unit in parallel. The method for driving the nonvolatile ferroelectric memory device includes activating the wordline and the plate line in an active period of one cycle, inactivating the wordline, activating a sensing amplifier, inactivating the plate line, activating the wordline when a precharge period starts, and inactivating the wordline before the precharge period ends.

Μια αμετάβλητη σιδηροηλεκτρική συσκευή μνήμης και μια μέθοδος για το ίδιο πράγμα ποικίλλουν μόνο ένα wordline κατά τη διάρκεια precharge του χρόνου να ο precharge χρόνος και να ελαχιστοποιηθεί έτσι το κύκλος ζωών τσιπ, με αυτόν τον τρόπο βελτιώνοντας τα χαρακτηριστικά τσιπ. Στην αμετάβλητη σιδηροηλεκτρική συσκευή μνήμης παρέχεται μια πολλαπλότητα των υπο- σειρών κυττάρων που αποτελούνται από μια πολλαπλότητα των κύριων κυττάρων και τουλάχιστον ενός κυττάρου αναφοράς, όπου το κύτταρο αναφοράς οποιαδήποτε από τις υπο- σειρές κυττάρων χρησιμοποιείται μαζί με ένα κύριο κύτταρο μιας γειτονικής υπο- σειράς κυττάρων. Η αμετάβλητη σιδηροηλεκτρική συσκευή μνήμης περιλαμβάνει μια μονάδα μετατροπής που ελέγχεται από ένα σήμα wordline αναφοράς για επιλεκτικά να διαβιβάσει μια τάση αναφοράς που αποθηκεύεται σε έναν σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή σε ένα bitline, ένα επίπεδο αρχίζοντας τη μονάδα για επιλεκτικά να αρχίσει ένα επίπεδο ενός τερματικού εισαγωγής της μονάδας μετατροπής που συνδέεται με το σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή, και μια πολλαπλότητα των σιδηροηλεκτρικών πυκνωτών που συνδέονται με το τερματικό εισαγωγής του παραλλήλου μονάδων μετατροπής παράλληλα. Η μέθοδος για την αμετάβλητη σιδηροηλεκτρική συσκευή μνήμης περιλαμβάνει την ενεργοποίηση του wordline και η γραμμή πιάτων σε μια ενεργό περίοδο ενός κύκλου, αδρανοποιώντας το wordline, ενεργοποιώντας έναν αισθαμένος ενισχυτή, αδρανοποιώντας τη γραμμή πιάτων, ενεργοποιώντας το wordline όταν αρχίζει μια precharge περίοδος, και αδρανοποιώντας το wordline πριν από τη precharge περίοδο τελειώνει.