Method for fabricating a nonvolatile ferroelectric memory, is disclosed, which can prolong a life time of the memory, including the steps of forming an insulating film on a semiconductor substrate, forming a bottom electrode on the insulating film, forming a ferroelectric film on the bottom electrode, wherein the ferroelectric film is formed of a material containing zirconium oxide as a base composition, the material having an antiferroelectric phase which can not be induced to a ferroelectric phase by an electric field, and the induced ferroelectric phase exhibiting a hysteresis in polarization-electric field characteristic and unable to be induced to an antiferroelectric phase by an electric field, and forming a top electrode on the ferroelectric film.

O método para fabricar uma memória ferroelectric permanente, é divulgado, que pode prolongar uma estadia da vida da memória, including as etapas de dar forma a uma película isolando em uma carcaça do semicondutor, dando forma a um elétrodo inferior na película isolando, dando forma a uma película ferroelectric no elétrodo inferior, wherein a película ferroelectric é dada forma de um óxido contendo material do zirconium como uma composição baixa, o material que tem uma fase antiferroelectric que não possa ser induzida a uma fase ferroelectric por um campo elétrico, e a fase ferroelectric induzida que exibe uma histerese no campo polarization-elétrico característico e incapaz de ser induzido a uma fase antiferroelectric por um campo elétrico, e dando forma superior a um elétrodo na película ferroelectric.