The present invention provides a support for a lithographic printing plate prepared by cold rolling a sheet while intermediate annealing is omitted to save energy and the number of the cold rolling steps are decreased to simplify the sheet production steps and to give a desired strength of the sheet, and by inhibiting precipitation of Si particles in the substrate to give extremely excellent resistance to ink staining in the nonimage areas during printing, and a process for producing a substrate therefore. The production process comprises homogenization heat-treating an aluminum alloy slab comprising 0.10 to 0.40 wt % of Fe, 0.03 to 0.15 wt % of Si, 0.004 to 0.03 wt % of Cu, and the balance of Al and unavoidable impurities, hot rolling the heat-treated slab, and cold-rolling the hot-rolled strip without intermediate annealing, the cold rolling including a final pass after which the sheet temperature becomes at least the recovery temperature of the sheet and the following rapid cooling, whereby an aluminum alloy substrate for a lithographic printing plate having a content of precipitated Si of up to 30 ppm and a tensile strength of from 145 to 180 MPa is produced. When the aluminum alloy is electrolytically grained and anodically oxidized, the resultant anodic oxide film can contain up to 200/mm.sup.2 of precipitated Si particles having an average particle size of at least 0.5 .mu.m.

Η παρούσα εφεύρεση παρέχει μια υποστήριξη για ένα λιθογραφικό πιάτο εκτύπωσης που προετοιμάζεται με το κρύο κύλισμα ένα φύλλο ενώ η ενδιάμεση ανόπτηση παραλείπεται για να σώσει την ενέργεια και ο αριθμός των βημάτων κρύου κυλίσματος μειώνεται για να απλοποιήσει τα βήματα παραγωγής φύλλων και για να δώσει μια επιθυμητή δύναμη του φύλλου, και με την παρεμπόδιση της πτώσης των μορίων Si στο υπόστρωμα για να δώσει την εξαιρετικά άριστη αντίσταση στο μελάνι που λεκιάζει στις περιοχές nonimage κατά τη διάρκεια της εκτύπωσης, και μιας διαδικασίας για ένα υπόστρωμα επομένως. Η διαδικασία παραγωγής περιλαμβάνει την ομογενοποίηση θερμότητα-μεταχειριμένος μια πλάκα κραμάτων αργιλίου περιλαμβάνοντας 0,10 έως 0,40 wt% του Φε, 0,03 έως 0,15 wt% 0,004 έως 0,03 wt% Si, του cu, και η ισορροπία του Al και των αναπόφευκτων ακαθαρσιών, καυτό κύλισμα η υποβαλλόμενη σε θερμοθεραπεία πλάκα, και cold-rolling η hot-rolled λουρίδα χωρίς ενδιάμεση ανόπτηση, το κρύο κύλισμα συμπεριλαμβανομένου ενός τελικού περάσματος και μετά η θερμοκρασία φύλλων γίνεται τουλάχιστον η θερμοκρασία αποκατάστασης του φύλλου και της ακόλουθης σύντομης ψύξης, με το οποίο ένα υπόστρωμα κραμάτων αργιλίου για ένα λιθογραφικό πιάτο εκτύπωσης που έχει ένα περιεχόμενο του κατακρημνισμένου Si μέχρι 30 PPM και μιας εκτατής δύναμης από 145 έως 180 MPa παράγεται. Όταν το κράμα αργιλίου είναι ηλεκτρολυτικά κοκκιώδες και ανοδικά οξειδωμένο, η επακόλουθη ανοδική ταινία οξειδίων μπορεί να περιέχει μέχρι 200/mm.sup.2 των κατακρημνισμένων μορίων Si που έχουν ένα μέσο μέγεθος μορίων τουλάχιστον 0,5 μu.μ.