The present invention relates to a method of integrating a low dielectric material such as DLC into a dual or single damascene wiring structure which contains a dielectric material having a dielectric constant of 4.0 or above. This integration is achieved in the present invention by employing a step of etchingback the high dielectric constant material to expose regions of in-laid wiring present in the single or dual damascene structure. Damascene wiring structures, single or dual, prepared using the method of the present invention are also provided herein.

La actual invención se relaciona con un método de integrar un material dieléctrico bajo tal como DLC en una estructura damasquina dual o sola del cableado que contenga un material dieléctrico que tiene una constante dieléctrica de 4.0 o arriba. Esta integración es alcanzada en la actual invención empleando un paso del etchingback el alto material de la constante dieléctrica para exponer regiones de atar con alambre embutido presente en la estructura damasquina sola o dual. Las estructuras damasquinas del cableado, solo o dual, preparadas usando el método de la actual invención también se proporcionan adjunto.