A method of fabricating A ferroelectric memory cell composed of an MOS transistor and A ferroelectric capacitor formed over A semiconductor substrate, comprises the steps of forming A contact hole through an insulating layer to form A contact plug to electrically connect the source region of the MOS transistor and the lower electrode of the ferroelectric capacitor, depositing over the contact hole an oxidizable substance layer to combine with the oxygen generated while forming the ferroelectric layer of the ferroelectric capacitor before forming the contact plug in the contact hole, depositing A conductive oxygen compound layer to separate and pass the oxygen to the upper part of the oxidizable substance layer, and forming the contact plug to electrically connect the source region of the MOS transistor and the lower electrode of the ferroelectric capacitor. Preferably, the lower electrode is composed of Pt, the ferroelectric layer of PZT or barium titanate or Rochelle salt, and the upper electrode of Pt or Al . The oxidizable substance layer is composed of A titanium compound, which may be titanium nitride or A mixture of titanium and its nitride. The conductive oxygen compound layer may be composed of ITO, IrO.sub.2, ReO.sub.2, RuO.sub.2 or MoO.sub.2, or their compound, or their composite layer.

Μια μέθοδος το σιδηροηλεκτρικό κύτταρο μνήμης Α που αποτελείται από μια κρυσταλλολυχνία MOS και έναν σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή Α που διαμορφώνονται πέρα από το υπόστρωμα ημιαγωγών Α, περιλαμβάνει τα βήματα της διαμόρφωσης της τρύπας επαφών Α μέσω ενός στρώματος μόνωσης για να διαμορφώσει το βούλωμα επαφών Α για να συνδέσει ηλεκτρικά την περιοχή πηγής της κρυσταλλολυχνίας MOS και το χαμηλότερο ηλεκτρόδιο του σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή, καταθέτοντας πέρα από την τρύπα επαφών ένα οξειδώσιμο στρώμα ουσιών για να συνδυάσει με το οξυγόνο που παράγεται διαμορφώνοντας το σιδηροηλεκτρικό στρώμα του σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή πρίν διαμορφώνει το βούλωμα επαφών στην τρύπα επαφών, καταθέτει σύνθετο στρώμα οξυγόνου Α το αγώγιμο για να χωρίσει και να περάσει το οξυγόνο στο ανώτερο μέρος του οξειδώσιμου στρώματος ουσιών, και διαμορφώνει το βούλωμα επαφών περιοχή πηγής της κρυσταλλολυχνίας MOS και το χαμηλότερο ηλεκτρόδιο του σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή. Κατά προτίμηση, το χαμηλότερο ηλεκτρόδιο αποτελείται από PT, το σιδηροηλεκτρικό στρώμα titanate PZT ή βάριου ή του άλατος Rochelle, και το ανώτερο ηλεκτρόδιο PT ή του Al. Το οξειδώσιμο στρώμα ουσιών αποτελείται από την ένωση τιτανίου Α, η οποία μπορεί να είναι μίγμα νιτριδίων ή Α τιτανίου τιτανίου και νιτριδίου της. Το αγώγιμο σύνθετο στρώμα οξυγόνου μπορεί να αποτελείται από ITO, IrO.sub.2, ReO.sub.2, RuO.sub.2 ή MoO.sub.2, ή την ένωσή τους, ή το σύνθετο στρώμα τους.