A semiconductor device having a bottom electrode, a ferroelectric film, and a top electrode formed on a semiconductor substrate, wherein the angle of each of the main cross sectional sides of the ferroelectric film relative to the main surface of the semiconductor substrate is less than 75 degrees. Forming the ferroelectric film into the trapezoid in cross section having such an angle provides a microscopic capacitor without electrical short-circuit between the top and bottom electrodes if the top electrode, the ferroelectric film, and the bottom electrode are etched with single photolithography process step. The novel technique implements a microscopic memory cell structure suitable for highly integrated memory devices.

Un dispositif de semi-conducteur ayant une électrode de sole, un film ferroelectric, et une électrode supérieure a formé sur un substrat de semi-conducteur, où l'angle de chacun des côtés en coupe principaux du film ferroelectric relativement à la surface principale du substrat de semi-conducteur est moins de 75 degrés. La formation du film ferroelectric dans le trapèze dans la coupe ayant un tel angle fournit un condensateur microscopique sans court-circuit électrique entre les électrodes de sole supérieures et si l'électrode supérieure, le film ferroelectric, et l'électrode de sole sont gravés à l'eau-forte avec l'étape simple de processus de photolithographie. La technique de roman met en application une structure microscopique de cellules de mémoire appropriée aux blocs de mémoires fortement intégrés.