There is provided a ferroelectric capacitor of semiconductor device including a SBT ferroelectric thin film. The SBT ferroelectric thin film has double layer structure in which each layer is different in detail crystalline structure from each other fabricated at different condition of thermal treatment. The first SBT thin film is formed on the bottom electrode of capacitor by spin coating SBT precursor, baking, performing rapid thermal treatment (RTP) and furnace annealing, in turn, to form conventional crystalline grain structure. The second SBT thin film is formed on the first SBT thin film by spin coating SBT precursor with lower viscosity, baking and performing RTP, in turn, to form only crystalline nuclei. The double layer structure of the SBT ferroelectric thin film allows the SBT film to be denser and improves the surface roughness.

Παρέχεται ένας σιδηροηλεκτρικός πυκνωτής της συσκευής ημιαγωγών συμπεριλαμβανομένης μιας σιδηροηλεκτρικής λεπτής ταινίας SBT. Η σιδηροηλεκτρική λεπτή ταινία SBT έχει τη διπλή δομή στρώματος στην οποία κάθε στρώμα είναι διαφορετική λεπτομερώς κρυστάλλινη δομή η μια από την άλλη που κατασκευάζεται στο διαφορετικό όρο της θερμικής επεξεργασίας. Η πρώτη λεπτή ταινία SBT διαμορφώνεται στο κατώτατο ηλεκτρόδιο του πυκνωτή από τον πρόδρομο επιστρώματος SBT περιστροφής, ψήσιμο, που εκτελεί τη γρήγορη θερμική επεξεργασία (RTP) και την ανόπτηση φούρνων, στη συνέχεια, για να διαμορφώσει τη συμβατική κρυστάλλινη δομή σιταριού. Η λεπτή ταινία δεύτερο SBT διαμορφώνεται στην πρώτη λεπτή ταινία SBT από τον πρόδρομο επιστρώματος SBT περιστροφής με το χαμηλότερο ιξώδες, RTP ψησίματος και εκτέλεσης, στη συνέχεια, για να διαμορφώσει μόνο τους κρυστάλλινους πυρήνες. Η διπλή δομή στρώματος της σιδηροηλεκτρικής λεπτής ταινίας SBT επιτρέπει στην ταινία SBT για να είναι πυκνότερη και βελτιώνει την τραχύτητα επιφάνειας.