A phosphor is prepared by depositing a compound semiconductor of Groups III-V in the form of fine particles or a thin film on a surface of a carrier particle by hetero-epitaxial growth. Thus, the phosphor increased in quality is obtained with satisfactory reproducibility.

Un fosforo è preparato depositando un semiconduttore compound dei gruppi III-V sotto forma di le particelle fini o una pellicola sottile su una superficie di una particella di elemento portante tramite sviluppo hetero-epitassiale. Quindi, il fosforo aumentato di qualità è ottenuto con la riproducibilità soddisfacente.