A GaN-based LED element 1 having a double heterostructure, which includes a GaN layer and the like and is formed on a sapphire substrate, is mounted face-down on a Si diode element 2 formed in a silicon substrate. Electrical connections are provided via Au microbumps 11 and 12 between a p-side electrode 5 of the GaN-based LED element 1 and an n-side electrode 8 of the Si diode element 2 and between an n-side electrode 6 of the GaN-based LED element 1 and a p-side electrode 7 of the Si diode element 2. The Si diode element 2 functions to protect the LED element 1 from an electrostatic destruction. The Si diode element 2 has a backside electrode 9 connected to a leadframe 13a. The p-side electrode 7 of the Si diode element 2 has a bonding pad portion 10 connected to a leadframe 13b via an Au wire 17.

Een op gaN-Gebaseerd LEIDEN element 1 die een dubbele heterostructuur heeft, die omvat een laag GaN en dergelijke en op een saffiersubstraat gevormd, wordt gezicht-neer op een de diodeelement 2 opgezet van Si dat in een siliciumsubstraat wordt gevormd. De elektro verbindingen verstrekt=worden= via Au microbumps 11 en 12 tussen een p-zijelektrode 5 van op gaN-Gebaseerd LEIDEN element 1 en een n-zijelektrode 8 van de diodeelement 2 van Si en tussen een n-zijelektrode 6 van op gaN-Gebaseerd LEIDEN element 1 en een p-zijelektrode 7 van de diodeelement 2. van Si De diodeelement 2 van Si functioneert om LEIDEN element 1 tegen een elektrostatische vernietiging te beschermen. De diodeelement 2 van Si heeft een achtereindelektrode 9 die met een leadframe 13a wordt verbonden. P-zijelektrode 7 van de diodeelement 2 van Si heeft een stootkussengedeelte plakkend 10 dat met een leadframe 13b via een draad 17 wordt verbonden van Au.