In one implementation, A method of forming semiconductive material active area having a proximity gettering region received therein includes providing a substrate comprising bulk semiconductive material. A proximity gettering region is formed within the bulk semiconductive material within a desired active area by ion implanting at least one impurity into the bulk semiconductive material. After forming the proximity gettering region, thickness of the bulk semiconductive material is increased in a blanket manner at least within the desired active area. In one implementation, a method of processing a monocrystalline silicon substrate includes forming a proximity gettering region within monocrystalline silicon of a monocrystalline silicon substrate. After forming the proximity gettering region, epitaxial monocrystalline silicon is formed on the substrate monocrystalline silicon to blanketly increase its thickness at least over the proximity gettering region.

In un'esecuzione, il metodo di A di formare la zona attiva materiale semiconductive che fa una regione gettering di prossimità ricevere in ciò include fornire un substrato che contiene il materiale semiconductive alla rinfusa. Una regione gettering di prossimità è formata all'interno del materiale semiconductive alla rinfusa all'interno di una zona attiva voluta dallo ione che impianta almeno un'impurità nel materiale semiconductive alla rinfusa. Dopo avere formato la regione gettering di prossimità, lo spessore del materiale semiconductive alla rinfusa è aumentato di modo generale almeno all'interno della zona attiva voluta. In un'esecuzione, un metodo di elaborazione del substrato monocristallino del silicone include formare una regione gettering di prossimità all'interno di silicone monocristallino di un substrato monocristallino del silicone. Dopo avere formato la regione gettering di prossimità, il silicone monocristallino epitassiale è formato sul silicone monocristallino del substrato generale per aumentare il relativo spessore almeno sopra la regione gettering di prossimità.