Disclosed is a process for producing a synthesis gas by an autothermal
reforming method including a step of partially oxidizing a
carbon-containing organic compound to produce a high temperature mixed
gas, and a synthesis producing step of reacting the unreacted
carbon-containing organic compound contained in the high temperature mixed
gas with carbon dioxide and/or steam, wherein a catalyst having a
considerably suppressed carbon deposition activity is used as a catalyst
for the synthesis gas producing step. The catalyst is characterized in
that the catalyst comprises a carrier formed of a metal oxide, and at
least one catalytic metal selected from rhodium, ruthenium, iridium,
palladium and platinum and supported on the carrier, in that the catalyst
has a specific surface area of 25 m.sup.2 /g or less, in that metal ion of
the carrier metal oxide has electronegativity of 13.0 or less, and in that
the amount of the catalytic metal supported is 0.0005-0.1 mole %, in terms
of a metal, based on the carrier metal oxide.
São divulgados um processo para produzir um gás de síntese por um método reformando autothermal including uma etapa parcialmente de oxidar um composto orgânico carbono-contendo para produzir um gás misturado de alta temperatura, e uma síntese produzindo a etapa de reagir o composto orgânico carbono-contendo unreacted contido no gás misturado de alta temperatura com o dióxido e/ou o vapor de carbono, wherein um catalizador que tem uma atividade consideravelmente suprimida do deposition do carbono é usado como um catalizador para o gás de síntese produzindo a etapa. O catalizador é caracterizado que o catalizador compreende um portador dado forma de um óxido de metal, e ao menos um metal catalytic selecionado do rhodium, do ruthenium, do iridium, do paládio e da platina e suportado no portador, que o catalizador tem uma área de superfície específica de 25 m.sup.2 /g ou menos, que o íon do metal do óxido de metal do portador tem um electronegativity de 13.0 ou um menos, e que a quantidade do metal catalytic suportado é 0.0005-0.1 toupeira %, nos termos de um metal, baseados no óxido de metal do portador.
