A light emitting field effect transistor is proposed with a new extended drain region. The extension is doped with erbium or other rare-earth atoms. The erbium provides light-emitting centers in the indirect bandgap silicon substrate to enhance the radiative process. When a drain voltage is applied to create a high enough electric, energetic electrons entering this region interact with Er to emit infrared light.

Un transistor de efecto de campo que emite ligero se propone con una nueva región extendida del dren. La extensión se dopa con erbium u otros átomos de tierras extrañas. El erbium proporciona centros luminescentes en el substrato indirecto del silicio del bandgap para realzar el proceso radiativo. Cuando un voltaje del dren se aplica para crear arriba bastantes electrones eléctricos, enérgios que incorporan esta región interactiva con er para emitir la luz infrarroja.