This invention relates to a method for the heat treatment of a ZnSe crystal substrate to dope it with Al as a donor impurity, a ZnSe crystal substrate prepared by this heat treatment and a light-emitting device using the ZnSe crystal substrate, in particular, the method for the heat treatment of a ZnSe crystal substrate comprising previously forming an Al film on the substrate, first subjecting the substrate to a heat treatment in a Se atmosphere and then subjecting to a heat treatment in a Zn atmosphere.

Этот вымысел относит к методу для обработки жары субстрата ZnSe crystal для того чтобы дать допинг ему с al как donor примесь, субстратом ZnSe crystal подготовленным этой обработкой жары и светоиспускающим приспособлением использующ субстрат ZnSe crystal, в частности, метод для обработки жары субстрата ZnSe crystal состоя из ранее формировать пленку al на субстрате, сперва подвергать субстрат к обработке жары в атмосфере se и после этого подвергать к обработке жары в атмосфере zn.