A method of forming an iridium-containing film on a substrate, from an iridium-containing precursor thereof which is decomposable to deposit iridium on the substrate, by decomposing the precursor and depositing iridium on the substrate in an oxidizing ambient environment which may for example contain an oxidizing gas such as oxygen, ozone, air, and nitrogen oxide. Useful precursors include Lewis base stabilized Ir(I) .beta.-diketonates and Lewis base stabilized Ir(I) .beta.-ketoiminates. The iridium deposited on the substrate may then be etched for patterning an electrode, followed by depositing on the electrode a dielectric or ferroelectric material, for fabrication of thin film capacitor semiconductor devices such as DRAMs, FRAMs, hybrid systems, smart cards and communication systems.

Μια μέθοδος μια ιρίδιο-περιέχοντας ταινία σε ένα υπόστρωμα, από έναν ιρίδιο-περιέχοντας πρόδρομο που επ' αυτού είναι decomposable για να καταθέσει το ιρίδιο στο υπόστρωμα, με την αποσύνθεση του προδρόμου και την κατάθεση του ιριδίου στο υπόστρωμα σε ένα οξειδωτικό περιβαλλοντικό περιβάλλον που μπορεί παραδείγματος χάριν να περιέχει μια οξείδωση αέριο όπως το οξυγόνο, το όζον, ο αέρας, και το οξείδιο αζώτου. Οι χρήσιμοι πρόδρομοι περιλαμβάνουν Lewis σταθεροποιημένο βάση IR (I) ψετα.-δηκετονατες και βάση Lewis σταθεροποίησε το IR (I) ψετα.-κετοημηνατες. Το ιρίδιο που κατατίθεται στο υπόστρωμα μπορεί έπειτα να χαραχτεί για τη διαμόρφωση ενός ηλεκτροδίου, που ακολουθείται με την κατάθεση στο ηλεκτρόδιο ενός διηλεκτρικού ή σιδηροηλεκτρικού υλικού, για την επεξεργασία των συσκευών ημιαγωγών πυκνωτών λεπτών ταινιών όπως τα DRAM, FRAMs, τα υβριδικά συστήματα, οι έξυπνες κάρτες και τα συστήματα επικοινωνιών.