An LDD structure is manufactured to have a desired aspect ratio of the height to the width of a gate electrode. The gate electrode is first deposited on a semiconductor substrate followed by ion implantation with the gate electrode as a mask to form a pair of impurity regions. The gate electrode is then anodic oxidized to form an oxide film enclosing the electrode. With the oxide film as a mask, highly doped regions are formed by ion implantation in order to define lightly doped regions between the highly doped regions and the channel region located therebetween.

Una estructura de LDD se fabrica para tener un cociente de aspecto deseado de la altura a la anchura de un electrodo de puerta. El electrodo de puerta primero se deposita en un substrato del semiconductor seguido por la implantación de ion con el electrodo de puerta como máscara para formar un par de regiones de la impureza. El electrodo de puerta es entonces anódico oxidado a la forma una película del óxido que incluye el electrodo. Con la película del óxido como máscara, las regiones altamente dopadas son formadas por la implantación de ion para definir regiones ligeramente dopadas entre las regiones altamente dopadas y la región del canal localizada therebetween.