Novel silsesquioxane polymers are formed by methods which avoid the use of BBr.sub.3. The novel silsesquioxane polymers are especially useful in negative photoresist compositions and photolithographic processes. Alternatively, improved silsesquioxane polymer-containing negative photoresist compositions are obtained by using a polymer component containing a blend of silsesquioxane polymer and non-silsesquioxane polymer. The photoresist compositions provide improved dissolution characteristics enabling the use of 0.26N TMAH developer. The photoresist compositions also provide improved thermal characteristics enabling use of higher processing temperatures. The photoresist compositions are especially useful in a multilayer photolithographic processes and are capable of producing high resolution.

I polimeri del silsesquioxane del romanzo sono costituiti dai metodi che evitano l'uso di BBr.sub.3. I polimeri del silsesquioxane del romanzo sono particolarmente utili nelle composizioni negative nel photoresist e nei processi photolithographic. Alternativamente, le composizioni negative polimero-contenenti migliorate nel photoresist del silsesquioxane sono ottenute usando un componente del polimero che contiene una miscela del polimero del silsesquioxane e del polimero del non-silsesquioxane. Le composizioni nel photoresist forniscono le caratteristiche migliorate di dissoluzione permettendo l'uso dello sviluppatore di 0.26N TMAH. Le composizioni nel photoresist inoltre forniscono le caratteristiche termiche migliorate permettendo l'uso di più alte temperature d'elaborazione. Le composizioni nel photoresist sono particolarmente utili in processi photolithographic a più strati e sono capaci di produrre l'alta risoluzione.