The present invention relates to a process for the preparation of a silicon on insulator wafer. The process including implanting oxygen in a single crystal silicon wafer having an axially symmetric region in which there is a predominant intrinsic point defect which is substantially free of agglomerated intrinsic point defects. Additionally, the present invention relates to a silicon on insulator ("SOI") structure in which the device layer and the handle wafer each have an axially symmetric region which is substantially free of agglomerated intrinsic point defects. Additionally, the present invention is directed to such a SOI structure in which the handle wafer is capable of forming an ideal, non-uniform depth distribution of oxygen precipitates upon being subjected to the heat treatment cycles of essentially any arbitrary electronic device manufacturing process.

La actual invención se relaciona con un proceso para la preparación de un silicio en la oblea del aislador. El proceso incluyendo implantar el oxígeno en una oblea de silicio del solo cristal que tiene una región simétrica en la cual haya un defecto intrínseco predominante del punto que está substancialmente libre de punto intrínseco aglomerado deserta. Además, la actual invención se relaciona con un silicio en la estructura del aislador ("SOI") en la cual la capa y la oblea cada uno del dispositivo de la manija tienen una región simétrica que esté substancialmente libre de defectos intrínsecos aglomerados del punto. Además, la actual invención se dirige a tal estructura en la cual la oblea de la manija sea capaz de formar un ideal, distribución de SOI de la profundidad de non-uniforme del oxígeno se precipita sobre ser sujetado a los ciclos del tratamiento de calor esencialmente de cualquier proceso de fabricación arbitrario del dispositivo electrónico.