A sapphire single crystal wafer 11 having a diameter not less than two inches and having an off-angled surface which is obtained by rotating an R (1-102) surface about an axis in a negative direction by a given off-angle not less than 2.degree. is introduced in a CVD apparatus. While the sapphire substrate is kept at a temperature of about 950.degree. C., a buffer layer made of gallium nitride or aluminum-gallium nitride is first deposited with an average thickness of 0.1-0.2 .mu.m, and then an aluminum nitride single crystal layer is deposited with an average thickness not less than 2 .mu.m. The thus obtained aluminum nitride single crystal layer does not have a significant amount of cracks, has an excellent piezoelectric property, and has a high propagating velocity.

Eine einzelne Kristallscheibe 11 des Saphirs, die einen Durchmesser nicht weniger als zwei Zoll hat und eine weg-winklige Oberfläche hat, die erhalten wird, indem man eine R (1-102) Oberfläche über eine Mittellinie in einer negativen Richtung durch einen gegebenen Wegwinkel nicht weniger als 2.degree dreht. wird in einem CVD Apparat eingeführt. Während das Saphirsubstrat bei einer Temperatur von ungefähr 950.degree gehalten wird. C., eine Pufferschicht, die vom Galliumnitrid oder vom Aluminium-Gallium Nitrid gebildet wird, wird zuerst bei einer durchschnittlichen Stärke von 0.1-0.2 mu.m niedergelegt, und dann wird eine AluminiumSchicht des einzelnen Kristalles des nitrids bei einem durchschnittlichen Stärke nicht weniger mu.m als 2 niedergelegt. Die folglich erreichte AluminiumSchicht des einzelnen Kristalles des nitrids hat nicht eine bedeutende Menge Sprünge, hat eine ausgezeichnete piezoelektrische Eigenschaft und hat eine hohe Fortpflanzengeschwindigkeit.